商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2500 件
IQE220N15NM5CG 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 22 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片,在元件內(nèi)部倒置。
IQE220N15NM5CG:表面貼裝型 N 通道 150 V 44A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) PG-TTFN-9-3
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon Technologies
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :44A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 22 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.6V @ 46μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 18.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1400 pF @ 75 V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TTFN-9-3
封裝/外殼: 9-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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