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ISC079N15NM6 - OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管，150V 正常電平，采用 SuperSO8 封裝

ISC079N15NM6 - 產(chǎn)品屬性： 

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12.8A (Ta), 95A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：7.4mOhm @ 36A, 15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 77μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3W (Ta), 165W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8

封裝/外殼：8-PowerTDFN

特性概述：

極低的 RDS(on)

FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20

150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr

與 OptiMOS? 5 相比，二極管軟性得到改善

+/-500 mV 的嚴(yán)格 Vgs(th) 分布

高雪崩堅(jiān)固性

最大 Tj 為 175°C

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