DG200A12T6B - 1200V 200A 單相半橋 IGBT 功率模塊
DG200A12T6B 的一般描述
DG200A12T6B 是分立式 IGBT 功率模塊，具有超低傳導損耗和低開關(guān)損耗的特點。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。
DG200A12T6B 的特點
低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)
開關(guān)損耗低
最高結(jié)溫 175℃
正溫度系數(shù) VCE(sat)
快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWD
采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式散熱器
ROHS
DG200A12T6B 的典型應(yīng)用
電機驅(qū)動逆變器
交流和直流伺服驅(qū)動放大器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國內(nèi)功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
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