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STW65N045M9-4是一款650 V，39 mOhm典型值，54 A單N溝道MDmesh M9功率MOSFET，采用4引腳TO-247封裝。

說明：

該N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結(jié)MDmesh M9技術(shù)，該技術(shù)適用于單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET。基于硅的M9技術(shù)采用多漏制造工藝，增強(qiáng)了器件結(jié)構(gòu)。在所有硅基快速開關(guān)超結(jié)功率MOSFET中，運(yùn)用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻并降低了柵極電荷值，特別適合需要超高功率密度和出色效率的應(yīng)用。

STW65N045M9-4的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：54A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 28A， 10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4610 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：312W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

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