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MSC360SMA120SDT是一款高性能、1200V、12A碳化硅MOSFET，采用TO-263-7封裝，具有低電容和低柵極電荷。Microchip SiC解決方案專注于高性能，有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率，并最小化系統(tǒng)重量和尺寸。

MSC360SMA120SDT的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 5A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：258 pF @ 1.2 kV

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：92W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：-

資質(zhì)：-

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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