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C3M0065090D是基于第三代技術(shù)的900 V, 65 mΩ, 36 A 碳化硅功率 MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。包括：可再生能源逆變器、 電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。

C3M0065090D的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：25 ns

正向跨導 - 最小值：11.6 S

Id-連續(xù)漏極電流：36 A

最大工作溫度：+ 150°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：125 W

產(chǎn)品：Power MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：30.4 nC

Rds On-漏源導通電阻：90 mOhms

上升時間：36 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

類型：Silicon Carbide MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間：28 ns

典型接通延遲時間：21 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：900 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：1.8 V

單位重量：6 g

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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