商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Nexperia
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NSF030120D7A0J N溝道SiC MOSFET采用標(biāo)準(zhǔn)7引腳TO-263塑料封裝(用于表面貼裝PCB技術(shù)),具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。NSF030120D7A0基于1200V功率MOSFET,開關(guān)速度快。得益于以上特性,該款MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用,包括電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動器。
NSF030120D7A0J的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:7 ns
Id-連續(xù)漏極電流:67 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-263-7
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
Pd-功率耗散:306 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:113 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms
上升時(shí)間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns
典型接通延遲時(shí)間:17 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.9 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
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