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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:NSF030120D7A0J

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Nexperia

年份:24+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Nexperia
型號
NSF030120D7A0J
封裝
TO-263-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A(Tc) 306W(Tc) TO-263-7

產(chǎn)品描述

NSF030120D7A0J N溝道SiC MOSFET采用標(biāo)準(zhǔn)7引腳TO-263塑料封裝(用于表面貼裝PCB技術(shù)),具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。NSF030120D7A0基于1200V功率MOSFET,開關(guān)速度快。得益于以上特性,該款MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用,包括電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動器。


NSF030120D7A0J的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:7 ns

Id-連續(xù)漏極電流:67 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:TO-263-7

封裝:Reel

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

Pd-功率耗散:306 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:113 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

上升時(shí)間:16 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns

典型接通延遲時(shí)間:17 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.9 V


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Nexperia

Nexperia

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…

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