NTBL060N065SC1 650V碳化硅(SiC) MOSFET采用全新技術(shù),與硅相比,可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。
NTBL060N065SC1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:11 ns
Id-連續(xù)漏極電流:46 A
最大工作溫度:+ 170°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:SO-8
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
Pd-功率耗散:170 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:74 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhms
上升時間:14 ns
系列:NTBL060N065SC1
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
商標(biāo)名:EliteSiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:24 ns
典型接通延遲時間:11 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 22.6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V
典型應(yīng)用:
SMPS(開關(guān)模式電源)
太陽能逆變器
UPS(不間斷電源)
能量儲存
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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