商品名稱：碳化硅 MOSFET 模塊
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
DF14MR12W1M1HFB67是一款采用CoolSiC? MOSFET增強型第1代、NTC和PressFIT觸點技術的升壓型1200 V 碳化硅 MOSFET 模塊。
說明：
英飛凌科技1200V CoolSiC? M1H模塊為電動汽車充電和其他逆變器設計人員提供了機會，可實現(xiàn)前所未有的效率和功率密度水平。
DF14MR12W1M1HFB67的特性：
? 電氣特性
- VDSS = 1200 V
- IDN = 30 A / IDRM = 60 A
- 低電感設計
- 高電流密度
? 機械特性
- 集成 NTC 溫度傳感器
- PressFIT 壓接技術
- 集成的安裝夾使安裝堅固
DF14MR12W1M1HFB67的應用：
? 太陽能應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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