商品名稱：?偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：24-FBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
S27KS0643GABHV020 64Mb 工業(yè)級 HYPERRAM器件是一款高速CMOS、自刷新DRAM，具有xSPI(八進制)接口。DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。
規(guī)格
存儲器類型：易失
存儲器格式：PSRAM
技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）
存儲容量：64Mbit
存儲器組織：8M x 8
存儲器接口：SPI - 八 I/O
時鐘頻率：200 MHz
寫周期時間 - 字，頁：35ns
訪問時間：35 ns
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）
基本產(chǎn)品編號：S27KS0643
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
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2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
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