商品名稱:碳化硅 (SiC) 二極管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
C6D50065H - 650V、50A 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二極管,采用 TO-247-2 封裝
產(chǎn)品描述
C6D50065H - Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術針對高性能電力電子應用進行了優(yōu)化,包括服務器電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、太陽能 (PV) 逆變器和消費類電子產(chǎn)品。
主要特點
業(yè)內(nèi)最低的正向電壓 (Vf) 溫度下降率
零反向恢復電荷 (Qrr),可實現(xiàn)超快開關操作
穩(wěn)健的 MPS 技術,浪涌能力強
高反向電壓阻斷能力
可直接替代當前的硅二極管和其他碳化硅二極管
應用
工業(yè)電源
服務器/電信
電動汽車充電系統(tǒng)
儲能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)
典型性能 - 功率降額(C6D50065H)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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