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安森美NVH4L025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET 具有出色的開關(guān)性能，與硅相比可靠性更高。安森美NVH4L025N065SC1具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。系統(tǒng)優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。

特點

? 典型值 RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

? 典型值 RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

? 超低柵極電荷 (QG(tot) = 164 nC)

? 低電容（Coss = 278 pF）

典型應(yīng)用

? 汽車板載充電器

? 用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

NVH4L025N065SC1產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 99 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 164 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 348 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: EliteSiC

系列: NVH4L025N065SC1

配置: Single

下降時間: 8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

上升時間: 19 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 32 ns

典型接通延遲時間: 17 ns

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