商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMZA65R015M2H - 650V 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管
產(chǎn)品概述
IMZA65R015M2H 是采用 TO-247-4 封裝的碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,它以第 1 代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設計。
IMZA65R015M2H - 封裝圖
主要特性
優(yōu)異的性能指標 (FOM)
同類最佳的 RDS(on)
高堅固性和整體質(zhì)量
靈活的驅(qū)動電壓范圍
支持單極驅(qū)動(VGSoff=0)
最佳的抗導通效應
通過 .XT 改進封裝互連
4 引腳封裝
潛在應用
開關(guān)模式電源 (SMPS)
固態(tài)斷路器 (SSCB)
電動汽車充電
光伏逆變器
儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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