商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIMZA75R090M1H 750V G1 SiC溝槽式MOSFET可幫助電動汽車制造商構建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW雙向車載充電器。器件可在高溫 (TJ 最高+175°C)下可靠工作,采用英飛凌的專有技術。XT芯片連接技術,可實現(xiàn)同類芯片尺寸中最佳的熱阻。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術:SiC(碳化硅結晶體管)
漏源電壓(Vdss):750 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):23A(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):83mOhm @ 7.4A, 20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.6mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):15 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):542 pF @ 500 V
功率耗散(最大值):113W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PG-TO247-4
封裝/外殼:TO-247-4
應用
車載充電器
汽車用HV-LV直流-直流轉換器
汽車用靜態(tài)開關(eFuse、BMS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
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