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AIMZA75R040M1H是利用寬帶隙 SiC 材料的特性，750VCoolSiC?MOSFET 是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固態(tài)硅坩堝技術(shù)基礎(chǔ)上建造的，在性能、可靠性和易熔性方面實現(xiàn)了獨特的組合。它適用于高溫和高濕度操作，可實現(xiàn)最簡化、最經(jīng)濟、最高系統(tǒng)效率的部署。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A (Tj)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：37 毫歐 @ 16.6A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1135 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：185W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

單向和雙向板載充電器和高壓-低壓直流轉(zhuǎn)換器：

硬開關(guān)半橋

軟開關(guān)拓撲

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。