商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMZA65R020M2H 650VCoolSiC?MOSFET采用英飛凌強(qiáng)大的第 2 代硅碳溝槽技術(shù),具有無(wú)與倫比的性能、卓越的可靠性和低熔斷率、它實(shí)現(xiàn)了低成本、高效率和簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì),以滿足不斷增長(zhǎng)的系統(tǒng)需求。
特點(diǎn)
? 超低開關(guān)損耗
? 基準(zhǔn)閾值電壓 VGS(th)=4.5V
? 即使在關(guān)斷閾值電壓為 0V 的情況下,也能抵御旁瓣濺射
? 靈活的驅(qū)動(dòng)電壓,與雙穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)方案兼容
? 在頻繁換向事件下,本體二極管運(yùn)行穩(wěn)定
? 采用 XTinterconnection 技術(shù),具有同類最佳的熱性能
優(yōu)點(diǎn)
? 實(shí)現(xiàn)高能效和高功率密度設(shè)計(jì)
? 促進(jìn)優(yōu)質(zhì)熔絲和集成
? 減小系統(tǒng)材料的尺寸、重量和體積
? 增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性
應(yīng)用
? 太陽(yáng)能光伏逆變器
? 太陽(yáng)能光伏逆變器
? 儲(chǔ)能和電池陣列
? UPS
? 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無(wú)與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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