ISZ520N20NM6是N 溝道MOSFET，正常電平，極低的開電阻 RDS（導通）。屬于卓越的柵極充電 x 開路電阻產品（FOM），極低反向恢復電荷（Qrr），高雪崩能級，175°C 工作溫度，無鉛鍍層。
產品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.5A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：47.8mOhm @ 15A, 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 31μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：14.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：960 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：2.5W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TSDSON-8-34
封裝/外殼：8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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IMTA65R033M2H
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IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值，便于功率損耗管理，使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外，該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…
ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6
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