ISZ520N20NM6是N 溝道MOSFET,正常電平,極低的開電阻 RDS(導通)。屬于卓越的柵極充電 x 開路電阻產品(FOM),極低反向恢復電荷(Qrr),高雪崩能級,175°C 工作溫度,無鉛鍍層。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4.5A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):47.8mOhm @ 15A, 15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 31μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):14.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):960 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):2.5W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-34
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。結合 TOLT 封裝,它實現了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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