商品名稱：N 溝道MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPP339N20NM6是N 通道MOSFET，正常電平，極低的開電阻 RDS（導通），是卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品（FOM）。極低反向恢復電荷（Qrr），高雪崩能級，175°C 工作溫度，無鉛鍍層，符合 RoHS 標準。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.8A (Ta), 39A (Tc)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31.8mOhm @ 26A, 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 52μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），125W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO220-3-1
封裝/外殼：TO-220-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術（如 CoolSiC? G2）的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，同時保持較小的占位面積，這是功率密度提…
IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值，便于功率損耗管理，使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外，該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…
ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下，為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計，適用于硬開關和軟開關模式。結合 TOLT 封裝，它實現(xiàn)了頂部散熱，提供卓越的熱性能，通過散熱片將高達 9…電話咨詢：86-755-83294757
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