商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPP339N20NM6是N 通道MOSFET,正常電平,極低的開電阻 RDS(導通),是卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品(FOM)。極低反向恢復電荷(Qrr),高雪崩能級,175°C 工作溫度,無鉛鍍層,符合 RoHS 標準。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6.8A (Ta), 39A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):31.8mOhm @ 26A, 15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 52μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):24 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),125W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:PG-TO220-3-1
封裝/外殼:TO-220-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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