NTTFS3D7N06HLTWG - 60V、3.9mΩ N 溝道屏蔽柵 PowerTrench? MOSFET 晶體管
型號:NTTFS3D7N06HLTWG
封裝:8-PQFN
類型:MOSFET 晶體管
描述:MOSFET - 單 N 溝道 60V,3.9mΩ
產(chǎn)品概述
NTTFS3D7N06HLTWG - 這款 N 溝道 MV MOSFET 采用先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn),該工藝結(jié)合了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時保持出色的開關(guān)性能。
產(chǎn)品特性
在 VGS = 10 V、ID = 23 A 時,最大 rDS(on) = 3.9 mΩ
低 Qg/Coss
屏蔽門 MOSFET 技術(shù)
VGS = 4.5 V 時,最大 rDS(on) = 5.2 mΩ,ID = 18A
MSL1 強(qiáng)大的封裝設(shè)計(jì)
極低 RDS(on) 的高性能技術(shù)
100% UIL 測試
符合 RoHS 規(guī)范
典型應(yīng)用
- 直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器
- 負(fù)載點(diǎn)
- 高效負(fù)載開關(guān)和低端開關(guān)
- 折邊 FET
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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