S26KL128SDABHB030 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件。該器件具有 8 位寬 DDR 數(shù)據(jù)總線，僅使用字寬地址邊界。
特性
初始隨機存取讀取延遲：5 至 16 個時鐘周期
順序突發(fā)事務
可配置的突發(fā)特性
3.0VVcc 時的 100-MHz 時鐘速率（200 MBps）
混合選項：一個包裹式突發(fā)后是線性突發(fā)
在每個事務中選擇封裝或線性突發(fā)類型
可配置的輸出驅動強度
高達 333-MBps 的持續(xù)讀取吞吐量
低功耗模式
讀取期間主動時鐘停止：12 mA，無需喚醒
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術（如 CoolSiC? G2）的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，同時保持較小的占位面積，這是功率密度提…
IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術（如 CoolSiC? G2）的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，同時保持較小的占位面積，這是功率密度提…
ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值，便于功率損耗管理，使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外，該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…
ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術，憑借其無與倫比的性能和可靠性，為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計，適用于硬開關和軟開關模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相
IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下，為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計，適用于硬開關和軟開關模式。結合 TOLT 封裝，它實現(xiàn)了頂部散熱，提供卓越的熱性能，通過散熱片將高達 9…電話咨詢：86-755-83294757
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