商品名稱:VS-ENZ025C60N
品牌:VISHAY
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
VS-ENZ025C60N 采用 PressFit 引腳,使用方便。裸露的基板提高了散熱性能。優(yōu)化的布局還有助于最大限度地減少雜散參數(shù),從而實(shí)現(xiàn)更好的 EMI 性能。
特性
E 系列功率 MOSFET
MOAT 和 SiC 二極管技術(shù)
具有低熱阻的暴露 Al2O3 基底面
低輸入電容
開關(guān)和傳導(dǎo)損耗低
超低柵極電荷 Qg
低內(nèi)部電感
以 AQG324 準(zhǔn)則為參考進(jìn)行鑒定
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Vishay 成立于1962,是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動(dòng)元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè), 計(jì)算機(jī), 汽車, 消費(fèi), 電信, 軍事, 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備中。Vishay 的全球足跡包括在中國, 亞洲其他五個(gè)國家/地區(qū), 歐洲及美洲設(shè)立的制造機(jī)構(gòu),以及在全球…
VS-GT55LA120UX
VS-GT55LA120UX是一款“低側(cè)斬波器” IGBT模塊,具有以下主要參數(shù)和特性?:IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單斬波器電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):68 A功率 - 最大值:291 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,50A電流…VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動(dòng)單斬波器 IGBT 模塊,底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述:VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊,采用 SOT-227 封裝,底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性:溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)頻率高…VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低側(cè)斬波 "IGBT 模塊,SOT-227VS-GT100LA65UF - 產(chǎn)品屬性:IGBT 類型:溝槽場截止配置:單斬波器電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):94 A功率 - 最大值:230 WVce(on) (最大值) @ Vge,Ic…VCNL36826S
VCNL36826S - 帶中斷、VCSEL 和 I2C 接口的接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36826S 在一個(gè)小型封裝中集成了一個(gè)接近傳感器 (PS) 和一個(gè) VCSEL。它采用 CMOS 工藝將光電二極管、放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路集成到單個(gè)芯片中。PS 的可編程中斷功能具有獨(dú)立的高低閾值,可最大限度地利用微控…VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個(gè)封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封裝、小窗口尺寸和短距離操作的接近檢測應(yīng)用而開發(fā)。此外,考慮到 1.8 V 的典型額定電源電壓…VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個(gè)封裝內(nèi)集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…電話咨詢:86-755-83294757
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