商品名稱:APTM50AM38SCTG
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:SP4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
APTM50AM38SCTG 碳化硅 (SiC) 模塊將強大的陣列或技術集成在一個封裝中,經(jīng)過優(yōu)化可提高可靠性和效率,節(jié)省空間以及縮短裝配時間?,F(xiàn)成的標準模塊產(chǎn)品線涵蓋多種電路拓撲、半導體產(chǎn)品,包括碳化硅、額定電壓和電流以及封裝。通過特定應用的電源模塊 (ASPM?) 可以滿足獨特的要求。
產(chǎn)品屬性
技術:碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
漏源電壓(Vdss):500V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):90A
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):246nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):11200pF @ 25V
功率 - 最大值:694W
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP4
供應商器件封裝:SP4
應用
●焊接
●太陽能
●感應加熱
●醫(yī)療設備
●UPS
●電機控制
●開關模式電源
●國防和航空航天
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關注嵌入控制半導體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術,是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…MSC50DC170HJ
MSC50DC170HJ模塊是由Microchip推出的一款功率模塊,屬于單相橋式整流器,采用碳化硅肖特基二極管(SiC) 技術,具有高效率和低損耗特性。技術參數(shù)二極管類型:單相技術:碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向(最大值):1.7 kV電流 - 平均整流 (Io):50 A不同 If 時電壓 - 正向…APTDR40X1601G
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APTDF500U20G是由Microchip公司推出的一款功率模塊,屬于單相全橋整流二極管模塊,采用 FRED(快速恢復外延二極管) 技術,主要用于高頻應用?;拘畔⑿吞枺篈PTDF500U20G類型:二極管模塊技術:標準電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V電流 - 平均整流 (Io):500A不同…電話咨詢:86-755-83294757
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