NVJD4152PT1G是一款帶ESD防護，20V，260 mΩ，2個P溝道，適用于低功率應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET，該產(chǎn)品采用SC-88封裝。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 P 溝道
FET 功能：標準
漏源電壓（Vdss）：20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：880mA（Ta）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：260 毫歐 @ 880mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：155pF @ 20V
功率 - 最大值：272mW（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等級：汽車級
資質(zhì)：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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