STB33N60DM2 MDmesh? DM2功率MOSFET是帶快速恢復(fù)二極管的MOSFET,針對全橋移相ZVS拓撲進行了優(yōu)化。 這款600 V功率MOSFET具有超低反向恢復(fù)電荷和時間(Qrr,Trr),與前一代相比,R DS (on) 降低了40%。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):130 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):43 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1870 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):190W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LIS2DH12TR
LIS2DH12TR 是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計,屬于“femto”系列,采用數(shù)字 I2C/SPI 串行接口標準輸出。STGIPS10K60T
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STM32F042K6U6 是意法半導(dǎo)體推出的一款32位ARM Cortex-M0微控制器(MCU),采用32-UFQFPN(55mm)封裝,具有32KB Flash存儲和6KB RAM,適用于工業(yè)控制、消費電子、電機驅(qū)動及USB設(shè)備等應(yīng)用。STM32F042K6U6 特性高性能32位內(nèi)核ARM Cortex-M0 架構(gòu),主頻48MHz,支持高效數(shù)據(jù)…L99MD01XPTR
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