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NTBG070N120M3S 1200V M3S系列SiC（碳化矽）MOSFET針對快速開關(guān)應用進行了優(yōu)化，并提供低22mΩ的漏極-源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET由18V柵極驅(qū)動驅(qū)動時可提供最佳性能，但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。該設備采用平面技術(shù)，可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：87 毫歐 @ 15A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：57 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1230 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：172W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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