NTMFSC006N12MC 雙路Cool? N通道功率MOSFET采用Power Trench? 工藝和雙面冷卻封裝。該功率MOSFET具有超低RDS (ON) 、120V漏極-源極電壓、±20V柵極-源極電壓以及150°C最高工作結(jié)溫/存放溫度。典型應(yīng)用包括交流-直流商用電源、一次側(cè)直流-直流FET、同步整流器和直流-直流轉(zhuǎn)換。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 溝道
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：120V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A (Ta), 92A (Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：39nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3040pF @ 60V
功率 - 最大值：2.7W（Ta），104W（Tc）
工作溫度：150°C（TJ）
等級：-
資質(zhì)：-
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6.15）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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