商品名稱:NVMJS3D0N06CTWG
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-LFPAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMJS3D0N06CTWG 是一款采用5mm X 6mm LFPAK封裝的高性能汽車功率MOSFET。該器件通過AEC-Q101認(rèn)證,支持PPAP,非常適合需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用中的緊湊高效設(shè)計(jì)。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26.9A (Ta), 139.3A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.9mOhm @ 27A, 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 135μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2675 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):4.2W (Ta), 112.5W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK
封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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