商品名稱:NVBLS1D5N10MCTXG
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-HPSOF
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVBLS1D5N10MCTXG 100V N溝道PowerTrench? MOSFET具有較高的熱性能和較低的RDS (on),可最大限度地降低導(dǎo)通損耗。該MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能,非常適合用于汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35.5A (Ta), 300A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.5 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 799μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):131 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):10100 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):4.5W (Ta), 331W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-HPSOF
封裝/外殼:8-PowerSFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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