商品名稱:NVTYS9D6P04M8LTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVTYS9D6P04M8LTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-LFPAK56
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVTYS9D6P04M8LTWG 是 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 16A(Ta),71A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 9.6 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 3V @ 580μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 2368 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.9W(Ta),75W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí) 汽車級(jí)
資質(zhì) AEC-Q101
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 8-LFPAK
封裝/外殼 SOT-1205,8-LFPAK56
特性
小尺寸(3.3 x 3.3 mm),適合緊湊型設(shè)計(jì)
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
通過 AEC-Q101 認(rèn)證,符合 PPAP 要求
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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