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IXTH24N50L 是N通道增強模式功率MOSFET，設(shè)計用于線性操作，采用國際標準封裝。該線性功率MOSFET具有擴展FBSOA，具有氮化鋁隔離的miniBLOC，高功率密度，節(jié)省空間且易于安裝的封裝，以及符合UL94 V-0可燃性分類的成型環(huán)氧樹脂。

該MOSFET可用于可編程負載，電流調(diào)節(jié)器，DC-DC轉(zhuǎn)換器，電池充電器，DC斬波器以及溫度和照明控制等應(yīng)用。

規(guī)格

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：500 V

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：24 A (Tc)

驅(qū)動電壓：20V

不同 Id，Vgs時的 Rds On：300毫歐 @ 500mA、20V

不同Id時的Vgs（th）：5V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷（Qg）：160 nC @ 20 V

Vgs (最大值)：±30V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）：2500 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率：400W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247 (IXTH)

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：IXTH24

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