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UF3C120400B7S碳化硅場效應(yīng)晶體管器件采用獨(dú)特的 "級聯(lián) "電路配置。該器件采用獨(dú)特的 "級聯(lián) "電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常關(guān)型 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性、使其成為開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.6A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：515毫歐 @ 5A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22.5 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：739 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應(yīng)用

● 電動汽車

● 電池充電器

● 電信和服務(wù)器 PSU

● 太陽能逆變器

● 能源存儲

● 電機(jī)驅(qū)動器

● 開關(guān)電源

● 輔助電源

● 負(fù)載開關(guān)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。