商品名稱:IMW120R007M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMW120R007M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:240 件
IMW120R007M1H 采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開關(guān)損耗和導通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動
寬柵源電壓范圍
堅固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴散焊技術(shù),可實現(xiàn)一流的熱性能
應用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅(qū)動
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IRS2052M
IRS2052M是一款雙通道D類音頻放大器,它集成了兩個高壓高性能D類音頻放大器驅(qū)動器和PWM調(diào)制器,具有內(nèi)部時鐘和超溫保護特性,適用于高性能家庭影院系統(tǒng)、汽車音響放大器等多種應用場景?。其主要特性包括:2 通道集成模擬輸入 D 類音頻放大器驅(qū)動多功能保護控制,用于激活…IRS2452AM
IRS2452AM是一款集成了兩個高壓高性能D類音頻放大器驅(qū)動器通道的IC,具有PWM調(diào)制器和多種保護功能?。它結(jié)合外部MOSFET,可以形成一個完整的雙通道D類音頻放大器。IRS2452AM的優(yōu)勢包括:雙通道集成邏輯輸入 D 類放大器差分或單端輸入多功能保護控制,用于激活鎖定、非鎖定…IGCM20F60GA
IGCM20F60GA是一款由 Infineon 推出的600 V、20 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),其主要規(guī)格如下:類型:IGBT配置:3 相電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms安裝類型:通孔封裝/外殼:24-PowerDIPIGCM20F60GA的特點包括:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)20 A 逆變…IGCM15F60GA
IGCM15F60GA是一款600 V、15 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),帶發(fā)射極開路,采用 DIP 36x21 封裝。IGCM15F60GA提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導和電氣隔離,適用于電機驅(qū)動應用。其主要特性如下:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)15…IGCM04G60HA
IGCM04G60HA CIPOS Mini智能功率模塊 (IPM)設計用于控制電機驅(qū)動應用,例如冰箱。IGCM04G60HA采用 DIP 36x21 封裝。它提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合了反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導和電氣隔離,適用于低功率電機驅(qū)動器。CIPOS? Mini系列配置包括兩相MOSFET、…電話咨詢:86-755-83294757
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