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NTBG160N120SC1MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：224毫歐 @ 12A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：33.8 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：678 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應(yīng)用

● 不間斷電源

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 升壓型逆變器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。