商品名稱:FF17MR12W1M1HP
數(shù)據(jù)手冊:FF17MR12W1M1HP.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF17MR12W1M1HP IGBT模塊(帶CoolSiC? MOSFET)具有非常低的雜散電感和出色的效率,因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)。xHP_B11型號提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅(qū)動電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項。集成式安裝夾確保牢固的安裝。
特性
● 同類最佳封裝,尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm(LxWxH)
● 將先進(jìn)的WBG材料和簡易模塊封裝結(jié)合在一起
● 模塊雜散電感非常低
● 寬RBSOA
● 1200V CoolSiC MOSFET,采用增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)
● 擴(kuò)展的推薦柵極驅(qū)動電壓窗口:0至5V和+15V至+18V
● 擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓:+23V和-10V
● 漏極-源極導(dǎo)通電阻選項:17mΩ或33mΩ
應(yīng)用
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● UPS系統(tǒng)
● 電動汽車用直流充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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TDA5252 是一款低功耗的單芯片 FSK/ASK 收發(fā)器,工作于 915MHz 頻段,適用于半雙工低數(shù)據(jù)速率通信。DZ540N26K
DZ540N26K是一款 50mm 單整流二極管模塊,具有2600V的電壓和540A的電流容量??。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有電氣絕緣基板,適用于高可靠性的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝?;拘畔⑿吞枺篋Z540N26K類型:二極管模塊技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):2600 V電流 - 平均整流 (…IDW10G120C5B
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