商品名稱：FF4MR20KM1H
數(shù)據(jù)手冊：
FF4MR20KM1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：0 件
FF4MR20KM1H 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1，采用眾所周知的 62 毫米外殼設(shè)計和 M1H 芯片技術(shù)。還可提供預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
產(chǎn)品特性
技術(shù)：碳化硅 (SiC)
配置：2 個 N 溝道
技術(shù)：碳化硅 (SiC)
漏極至源極電壓 (Vdss)： 2000 V（2 kV）。
25°C 時的連續(xù)漏極電流 (Id)： 280A (Tc)。
不同 Id、Vgs 時的開關(guān)電阻（最大值）：300A、18V 時為 5.3 毫歐
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）： 5.15V @ 168mA
最大 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)： 1170nC @ 18V
最大 Vds 時的輸入電容 (Ciss)： 36100pF @ 1.2kV
工作溫度：-40°C ~ 175°C
安裝類型：機箱上
包裝/外殼：模塊
電源包括：AG-62MMHB
應(yīng)用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車充電
● 光伏
● 牽引
● 不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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BSZ42DN25NS3G
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