商品名稱:NTTFD9D0N06HLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTTFD9D0N06HLTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:12-WQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTTFD9D0N06HLTWG采用雙封裝,包含兩個(gè)專用 N 溝道 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn)采用內(nèi)部連接,以使同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和布線更為簡(jiǎn)便??刂?MOSFET(Q2)和同步 MOSFET(Q1)的設(shè)計(jì)可提供最佳的功率效率。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):9A(Ta),38A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):9 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):13.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):948pF @ 30V
功率 - 最大值:1.7W(Ta),26W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:12-PowerWQFN
供應(yīng)商器件封裝:12-WQFN(3.3x3.3)
應(yīng)用
● 計(jì)算
● 通信
● 通用負(fù)載點(diǎn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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