商品名稱:PSMNR90-40YLHX
數(shù)據(jù)手冊:PSMNR90-40YLHX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
PSMNR90-40YLHX 300 安培、邏輯電平柵極驅(qū)動 N 溝道增強型 MOSFET,采用 175 °C LFPAK56E 封裝,采用先進的 TrenchMOS 超結(jié)技術。該產(chǎn)品專為高性能功率開關應用而設計并通過了認證。
特性和優(yōu)勢
300 A 連續(xù)負載(最大值)
雪崩額定值,100% 通過測試
NextPower-S3 技術提供 "軟體二極管恢復 "的超快開關功能
低 QRR、Qc 和 Qco,實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和低 EMI 設計
Schottky-Plus 體二極管提供軟開關,而不會產(chǎn)生相關的高漏損
強大的線性模式 1 SOA 額定值
針對 4.5 V 柵極驅(qū)動進行了優(yōu)化,采用 NextPower S3 超結(jié)技術
高可靠性 LFPAK(功率 SO8)封裝,采用銅夾和焊接芯片連接,耐溫高達 175 °C
外露引線可采用波峰焊接、可視焊點檢測和高質(zhì)量焊點,以確保最終可靠性
寄生電感和電阻低
應用
高性能同步整流
直流至直流轉(zhuǎn)換器
高性能、高效率服務器電源
無刷直流電機控制
電池保護
負載開關和電子保險絲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體(中國)有限公司 Nexperia是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用第三代技術。它結(jié)合了載流子存儲的溝槽柵和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C,具有優(yōu)化的IGBT關斷損耗。其功能和技術規(guī)格如下:功能集電極電流 (IC) 額定值高達75A低導通和開關損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強模式-常關電源開關雙向器件超高開關速度能力超低導通電阻符合RoHS指令,無鉛,符合REACH標準高效率和高功率密…電話咨詢:86-755-83294757
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