商品名稱：IXDI630YI
數(shù)據(jù)手冊：
IXDI630YI.pdf
品牌：IXYS
年份：23+
封裝：TO-263-6
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXDI630YI 高速柵極驅(qū)動器特別適用于驅(qū)動最新的 IXYS 功率 MOSFET 和 IGBT。IXD_630 輸出可提供和吸收 30A 的峰值電流，同時電壓上升和下降時間小于 20ns。
特性
- 30A 峰值源/匯驅(qū)動電流
- 高工作電壓能力：35V
-40°C 至 +125°C 擴展工作溫度范圍
- 欠壓鎖定保護
- 邏輯輸入可承受高達 5V 的負擺幅
- 快速上升和下降時間： < 20ns
- 低傳播延遲時間
- 低 10?A 電源電流
- 低輸出阻抗
應(yīng)用
- 高效功率 MOSFET 和 IGBT 開關(guān)
- 開關(guān)模式電源
- 電機控制
- 直流至直流轉(zhuǎn)換器
- D 類開關(guān)放大器
- 脈沖變壓器驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封裝，適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應(yīng)用。
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? Polar3? 系列，專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關(guān)能力，電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計人員提供了一種新的高價值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點和技術(shù)規(guī)格如下：特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…電話咨詢：86-755-83294757
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