商品名稱：RGW50TK65GVC11
數據手冊：
RGW50TK65GVC11.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：TO-3PFM
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
RGW50TK65是一款高速開關IGBT，適用于PFC、太陽能逆變器、UPS、焊接、IH應用。
器件：RGW50TK65GVC11
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：100 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值：67 W
開關能量：390μJ（開），430μJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：73 nC
25°C 時 Td（開/關）值：35ns/102ns
測試條件：400V，25A，10歐姆，15V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝：TO-3PFM
型號
品牌
封裝
數量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關損耗和短路耐受時間（5μs）的特點。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運行。內置的快速軟恢復FRD提高了效率，而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：溝槽型場…
SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關模式電源感應加熱電機驅動
SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關模式電源感應加熱電機驅動
SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 標準低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的應用汽車開關模式電源
SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4026DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的應用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關模式電源感應加熱電機驅動
SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT2H12NZGC11 的特性低電阻快速切換速度長爬行距離易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準SCT2H12NZGC11 的應用輔助電源開關模式電源電話咨詢：86-755-83294757
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