商品名稱:PSMN9R3-60HSX
數(shù)據(jù)手冊:PSMN9R3-60HSX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56D
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PSMN9R3-60HSX N溝道MOSFET是一款雙標(biāo)準(zhǔn)電平N溝道MOSFET,采用LFPAK56D(雙電源SO8)封裝。Nexperia MOSFET采用 TrenchMOS技術(shù)。該器件達(dá)到重復(fù)雪崩等級,可耐受175°C溫度。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Ta)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):9.3 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):34.2nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2348pF @ 25V
功率 - 最大值:68W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56D
應(yīng)用
● 無刷直流電機(jī)控制
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 高性能同步整流
● 高性能、高效率服務(wù)器電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲的溝槽柵和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C,具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下:功能集電極電流 (IC) 額定值高達(dá)75A低導(dǎo)通和開關(guān)損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…PSC2065JJ
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PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
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