商品名稱：PSMN4R2-40VSHX
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
PSMN4R2-40VSHX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK56D
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PSMN4R2-40VSHX 40V 高性能MOSFET集成了Nexperia獨(dú)特的超級(jí)結(jié)技術(shù)。該器件采用銅夾LFPAK封裝，提供低導(dǎo)通電阻，并具有高達(dá)380A的持續(xù)電流能力。
規(guī)格
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個(gè) N 通道（半橋）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：98A（Ta）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：37nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2590pF @ 25V
功率 - 最大值：85W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56D
基本產(chǎn)品編號(hào)：PSMN4R2
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲(chǔ)的溝槽柵和場(chǎng)截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C，具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下：功能集電極電流 (IC) 額定值高達(dá)75A低導(dǎo)通和開關(guān)損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時(shí)電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強(qiáng)模式－常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…電話咨詢：86-755-83294757
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