商品名稱:RGTH80TS65DGC13
數(shù)據(jù)手冊:RGTH80TS65DGC13.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
RGTH80TS65DGC13 650V IGBT 有 RGTV(短路容差型)和 RGW(高速開關(guān)型)系列,具有同類領(lǐng)先的效率和軟開關(guān)功能。這些 ROHM IGBT 的連續(xù)集電極電流范圍為 20A 至 80A(取決于工作溫度),采用管式封裝。650V IGBT 是通用變頻器和轉(zhuǎn)換器中功率轉(zhuǎn)換的理想選擇,適用于交流電、感應(yīng)加熱器等消費(fèi)電器,以及包括電源調(diào)節(jié)器、電焊機(jī)和 UPS 在內(nèi)的工業(yè)設(shè)備。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型: 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 70 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值:234 W
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 79 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值: 34ns/120ns
測試條件: 400V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr): 236 ns
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: TO-247G
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關(guān)損耗和短路耐受時間(5μs)的特點。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運(yùn)行。內(nèi)置的快速軟恢復(fù)FRD提高了效率,而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術(shù)規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:溝槽型場…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的應(yīng)用汽車開關(guān)模式電源SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4026DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT2H12NZGC11 的特性低電阻快速切換速度長爬行距離易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)SCT2H12NZGC11 的應(yīng)用輔助電源開關(guān)模式電源電話咨詢:86-755-83294757
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