商品名稱：RGWSX2TS65DGC13
數(shù)據(jù)手冊：
RGWSX2TS65DGC13.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
RGWSX2TS65DGC13是一款具有高速開關(guān)特點的IGBT，非常適用于PFC、太陽能轉(zhuǎn)換器、中～高速開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247GE-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 30 V, 30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 104 A
Pd-功率耗散: 288 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 64 A
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關(guān)損耗和短路耐受時間（5μs）的特點。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運行。內(nèi)置的快速軟恢復FRD提高了效率，而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術(shù)規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：溝槽型場…
SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 標準低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的應(yīng)用汽車開關(guān)模式電源
SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4026DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT2H12NZGC11 的特性低電阻快速切換速度長爬行距離易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標準SCT2H12NZGC11 的應(yīng)用輔助電源開關(guān)模式電源電話咨詢：86-755-83294757
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