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GAN063-650WSAQ  650V氮化鎵 (GaN) FET是一款常關(guān)型器件，結(jié)合了Nexperia的最新高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET技術(shù)。該器件具有卓越的可靠性和性能，非常適合用于無橋推拉輸出電路PFC、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和UPS逆變器。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34.5A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：143W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：GAN063

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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