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GAN041-650WSBQ氮化鎵（GaN）FET具有650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流以及41mΩ最大電阻。  GAN041采用TO-247封裝，是一款常關(guān)型器件，將高壓GaN HEMT H2技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)結(jié)合在一起。這些技術(shù)組合可以提供出色的可靠性和性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47.2A

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：41 毫歐 @ 32A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：187W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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