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NVMJS1D5N04CLTWG是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的單N通道功率MOSFET，占位面積小 (5mm x 6mm)，非常適合用于緊湊型設(shè)計。這些器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，并具有低柵極電荷和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。這些汽車級功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，具有較寬的工作溫度范圍（-55°C至175°）。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Ta），200A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4300 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），110W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-LFPAK

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

應(yīng)用

● 汽車

● 不間斷電源

● 太陽能逆變器

● 電機驅(qū)動器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。