商品名稱:NTMYS4D6N04CLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMYS4D6N04CLTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:LFPAK-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTMYS4D6N04CLTWG是一款工業(yè)功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPAK 封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。
規(guī)格
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 78 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 4.4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 72 S
上升時(shí)間: 3.4 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 17 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9.2 ns
單位重量: 75 mg
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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