商品名稱:NVH4L075N065SC1
數(shù)據(jù)手冊:NVH4L075N065SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
安森美半導(dǎo)體NVH4L075N065SC1 650V 碳化硅MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :38A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 85 毫歐 @ 15A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 61 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +22V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1196 pF @ 325 V
功率耗散(最大值): 148W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼: TO-247-4
典型應(yīng)用
車載充電器
用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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