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商品名稱(chēng):BGT60LTR11SAIPXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BGT60LTR11SAIPXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:42-UFBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BGT60LTR11SAIPXUMA1 MMIC是一款完全集成的微波運(yùn)動(dòng)傳感器,包括封裝天線(AIP)以及內(nèi)置運(yùn)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)方向檢測(cè)器。狀態(tài)機(jī)使得能夠自主地操作設(shè)備,即,不需要外部微控制器或進(jìn)一步的信號(hào)處理。MMIC具有四個(gè)四態(tài)輸入引腳,即使在這種自主模式下,也能提供靈活的性能參數(shù)。
產(chǎn)品屬性
類(lèi)型:僅限 TxRx
射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):-
協(xié)議:-
調(diào)制:-
頻率:61GHz ~ 61.5GHz
數(shù)據(jù)速率(最大值):-
功率 - 輸出:10dBm
靈敏度:-
存儲(chǔ)容量:-
串行接口:SPI
電壓 - 供電:1.45V ~ 1.6V
電流 - 接收:-
電流 - 傳輸:-
工作溫度:-10°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:42-UFBGA
供應(yīng)商器件封裝:PG-UF2BGA-42-1
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
42-BGA
2000
XENSIV? 60GHz 第一個(gè)完全自主的運(yùn)動(dòng)感應(yīng)雷達(dá)傳感器
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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